建設地點

廣東廣州黃埔區中新廣州知識城新能源新材料及智能芯片園內，人才四路以南、人才三路以北、芯源六路以東地塊

建設單位

廣州辰微電子科技有限公司

項目概況

廣州辰微電子科技有限公司模塊電源產業項目選址在廣州市黃埔區中新廣州知識城新能源新材料及智能芯片園人才四路以南、人才三路以北、芯源六路以東地塊進行建設，主要從事功率半導體、系統集成封裝產品的生產，年產功率半導體41.76萬片，系統集成封裝產品13050萬個。項目年工作365天，每天3班，每班8小時。

環評機構

廣州經濟技術開發區怡地工程有限公司

主要環境影響及預防或減輕不良環境影響的對策和措施

1.系統集成封裝產線產生的廢氣（TVOC、非甲烷總烴、顆粒物、錫及其化合物、環氧氯丙烷、酚類、甲苯）集中收集經二級活性炭處理，TVOC、非甲烷總烴應達到廣東省《固定污染源揮發性有機物綜合排放標準》（DB44/2367-2022）表1揮發性有機物排放限值，顆粒物、錫及其化合物應達到廣東省《大氣污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二時段二級標準，環氧氯丙烷、酚類、甲苯應達到《合成樹脂工業污染物排放標準》（GB31572-2015）（含2024年修改單）后引至排氣筒（DA001）高空排放，排氣筒出口處距離地平面不低于15米。
2.功率半導體生產外延制備、化學氣相沉積、干法刻蝕、原子層沉積等工序產生的工藝尾氣（氟化物、氯氣、氮氧化物、磷烷、硅烷、二氧化硫、TVOC、非甲烷總烴、氨氣）通過完全密閉設備管道直連集中收集經設備自帶的POU裝置（等離子燃燒+水洗）預處理后，與顯影、濕法清洗、濕法刻蝕等工序產生的廢氣（TVOC、非甲烷總烴、氯化氫、氟化氫、硫酸霧、氮氧化物、磷酸霧、氨）一并經密閉設備連接管道收集匯合后經兩套堿液噴淋塔處理，TVOC、非甲烷總烴應達到廣東省《固定污染源揮發性有機物綜合排放標準》（DB44/2367-2022）表1揮發性有機物排放限值，氟化物、氯氣、氯化氫、氮氧化物、硫酸霧、二氧化硫應達到廣東省《大氣污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二時段二級標準，磷烷、硅烷應達到《環境影響評價技術導則 制藥建設項目》（HJ 611-2011）中的多介質環境目標值估算DMEG值和《荷蘭排放導則》（NER）計算結果中的較嚴值，磷酸應達到上海市地方標準《大氣污染物綜合排放標準》（DB31/933-2015）表 1 大氣污染物項目排放限值，氨應達到《惡臭污染物排放標準》（GB14554-1993）表2惡臭污染物排放標準值后引至排氣筒（DA002、DA003）高空排放，排氣筒出口處距離地平面不低于15米。
3.功率半導體生產涂膠、烘烤、濕法去膠、干燥洗等工序產生的有機廢氣（TVOC、非甲烷總烴）經密閉設備連接管道收集經“沸石轉輪吸附濃縮+TO燃燒”處理，TVOC、非甲烷總烴應達到廣東省《固定污染源揮發性有機物綜合排放標準》（DB44/2367-2022）表1揮發性有機物排放限值，TO爐產生的燃燒廢氣（SO2、NOx、顆粒物）應達到廣東省《大氣污染物排放限值》（DB44/27-2001）第二時段二級標準后引至排氣筒（DA004）高空排放，排氣筒出口處距離地平面不低于15米。
4.功率半導體生產金屬層沉積工序產生的硫酸霧經密閉設備連接管道收集，應達到《電鍍污染物排放標準》（GB21900-2008）表5新建企業大氣污染物排放限值后引至排氣筒（DA005）高空排放，排氣筒出口處距離地平面不低于15米。
5.污水處理站產生的惡臭污染物經加蓋密閉負壓連接管道收集經“酸液噴淋+堿液噴淋”處理，氨、硫化氫、臭氣濃度應達到《惡臭污染物排放標準》（GB14554-1993）表2惡臭污染物排放標準后引至排氣筒（DA006）高空排放，排氣筒出口處距離地平面不低于15米。

公眾參與情況

項目受理公示期間無反饋意見。